IPI06CN10N G
Fabrikant Productnummer:

IPI06CN10N G

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IPI06CN10N G-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 100V 100A TO262-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online
12803324
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

IPI06CN10N G Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
-
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
6.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 180µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
139 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
9200 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
214W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO262-3
Pakket / Doos
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Basis productnummer
IPI06C

Datasheet & Documenten

Datasheets
IPI06CN10N G
HTML Gegevensblad
IPI06CN10N G-DG

Aanvullende informatie

Standaard pakket
500
Andere namen
IPI06CN10NG
SP000208924
IPI06CN10N G-DG
SP000680668

Milieu- en Exportclassificatie

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
infineon-technologies

IPA057N08N3GXKSA1

MOSFET N-CH 80V 60A TO220-FP

infineon-technologies

IPB020N08N5ATMA1

MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK

infineon-technologies

IPA50R190CE

MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220-FP

infineon-technologies

IRF8714GTRPBF

MOSFET N-CH 30V 14A 8SO